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首頁(yè)歐美晶振Qantek晶振,QX2晶振,耐高溫振蕩器

Qantek晶振,QX2晶振,耐高溫振蕩器

編號(hào)：21282601
頻率：2~60MHz
尺寸：2.5*2.0*0.95mm

小體積2520貼片晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢(shì),適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.95 mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的...

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　 Qantek晶振,QX2晶振,耐高溫振蕩器.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
　石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿(mǎn)足不同曲率半徑石英有源晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)(a、球面的余弦磨量;b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時(shí)球面測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則(曲率半徑公式的計(jì)算).

QANTEK創(chuàng)造了極具競(jìng)爭(zhēng)力的商業(yè)模式,使其能夠?yàn)樵荚O(shè)備制造商,合同制造商和分銷(xiāo)商提供廣泛的高可靠性微處理器晶體和石英晶體振蕩器.QANTEK晶振為我們的客戶(hù)提供高質(zhì)量的產(chǎn)品,具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格,及時(shí)交付,優(yōu)秀的工程和技術(shù)支持,以及在短時(shí)間內(nèi)改變生產(chǎn)要求的靈活性.QANTEK的商業(yè)模式是通過(guò)在初始設(shè)計(jì),原型設(shè)計(jì)和制造流程中為其提供幫助,與客戶(hù)發(fā)展緊密的長(zhǎng)期關(guān)系.

型號(hào)	符號(hào)	QX2
輸出方式	-	HCMOS
輸出頻率范圍	fo	2~60MHz
電源電壓	V_CC	+1.8V~+3.3V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±20ppm，±25ppm，±50ppm，±100ppm
保存溫度范圍	T_stg	-55℃~+125℃
運(yùn)行溫度范圍	T_use	-10℃~+70℃ -40℃~+85℃ -40℃~+105℃ -40℃~+125℃
消耗電流	I_CC	45mA max. (fo≦170MHz)
待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	15pF
波形對(duì)稱(chēng)	SYM	45~55% [at outputs cross point]
上升時(shí)間下降時(shí)間	tr, tf	0.5ns max. [20~80% Output, OutputN]

鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用SPXO耐高溫晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD高精度晶振使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

抗沖擊

貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.

輻射

暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口石英環(huán)保2520晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD低功耗晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi).

QANTEK晶振集團(tuán)將確保其高性能晶振產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿(mǎn)足甚至超出國(guó)家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動(dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿(mǎn)足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.

QANTEK晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過(guò)去QANTEK晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).

QANTEK晶振集團(tuán)將:不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過(guò)充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.美國(guó)QANTEK晶振將:通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖

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